三、染色体畸变

细胞在分裂过程中染色体的数量和结构发生变化称为染色体畸变(chromosomeaberration)。畸变可以自然发生,称自发畸变(spontaneous aberration)。许多物理、化学因素和病毒感染可使畸变率增高。电离辐射是畸变诱发因素,其原因是电离粒子穿透染色体或其附近时,使染色体分子电离发生化学变化而断裂。

(一)染色体数量变化

照射时染色体发生粘着,在细胞分裂时可能产生染色体不分离现象,致使两个子细胞中染色体不是平均分配,生成非整倍体(aneuploid)细胞。

(二)染色体结构变化

1.染色体型畸变:当染色体在复制之前受照射(即细胞处于G1期或S期初期受照射),染色体发生畸变之后再进行复制,称染色体型畸变。断片、着丝粒环、双着丝粒体、相互易位、倒位及缺失等畸变属于这一类(图3-4)。

某些染色体畸变形成示意图

图3-4 某些染色体畸变形成示意图

(1)断片, (2)双着丝点 (3)环

2.染色单体型畸变:当染色体复制之后受照射(即细胞处于S期后期或G2期受照射),在一个染色单体臂上发生断裂或裂隙,称为染色单体型畸变(chromatid aberration)。单体断片、单体互换等属这一类。

电离辐射诱发的畸变以染色体型畸变为主,尤以断片,环和双着丝粒体等畸变,在反映辐射效应的程度方面更有意义。